Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Khairnar A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Khairnar A. G. 
Symthesis of Cerium Dioxide High-k Thin Films as a Gate Dielectric in MOS Capacitor [Електронний ресурс] / A. G. Khairnar, Y. S. Mhaisagar, A. M. Mahajan // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(1). - С. 03002-1-03002-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(1)__4
Попередній перегляд:   Завантажити - 200.152 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Khairnar A. G. 
Surface Passivation of Germanium Using NH3 Ambient in RTP for High Mobility MOS Structure [Електронний ресурс] / A. G. Khairnar, Y. S. Mhaisagar, A. M. Mahajan // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02009-1-02009-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_11
Ge CMOS is very striking for the post Si-CMOS technology. However, we have to attempt a number of challenges with regard to materials and their interface control. In this paper we have investigated the control of the interfacial properties of SiO2 / Ge gate stack structures by the thermal nitridation technique. Structural and electrical properties of SiO2 gate-dielectric metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors deposited by sputtering on germanium are studied. The structural characterization confirmed that the thin film was free of physical defects and smooth surface of the films after PDA at 500 oC in N2 ambient. The smooth surface SiO2 thin films were used for Pt / SiO2 / GeON / Ge MOS structures fabrication. The MOS structure yields a low leakage current density of 9,16 x 10-6 A x cm-2 at 1 V.
Попередній перегляд:   Завантажити - 318.288 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського